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簡要描述：PEVCD管式爐系統(tǒng)為中型滑動開啟式設(shè)備，適配 1200?1700℃工藝。集成等離子射頻電源、三路混氣系統(tǒng)與真空組件，爐體可滑動實現(xiàn)快速升降溫?？烧{(diào)控薄膜應力與化學計量比，沉積 SiOx、SiNx 等材料，廣泛用于薄膜材料研發(fā)實驗，性能穩(wěn)定、集成度高
更新時間：2026-05-21瀏覽次數(shù)：111產(chǎn)品地址：上海市青浦區(qū)華新鎮(zhèn)嘉松中路518號A205產(chǎn)品分類：管式爐產(chǎn)品分類
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| 品牌 | JZ/精釗 | 價格區(qū)間 | 5萬-10萬 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 管式爐 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
| 應用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
PEVCD 系統(tǒng)爐是面向薄膜材料制備的中型滑動開啟式專用設(shè)備，擁有 1200℃、1500℃、1700℃多溫區(qū)規(guī)格，整套設(shè)備集成等離子射頻電源、三路質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)、開啟式管式爐及真空機組，可一站式完成氣相沉積實驗。設(shè)備爐體可左右滑動，搭配射頻電源同步位移，實現(xiàn)快速升降溫；300W 射頻電源可產(chǎn)生等離子增強效應，降低實驗溫度，通過頻率精準調(diào)控薄膜應力，工藝參數(shù)可調(diào)，可沉積 SiOx、SiNx、a?Si:H 等多種功能薄膜。溫控系統(tǒng)采用 50 段智能可編程 PID 控制，控溫精度 ±1℃；真空系統(tǒng)搭配雙旋片式機械泵，真空度可達 10?2torr；三路高精度混氣系統(tǒng)精準配比反應氣體。整機符合 CE、ISO9001 標準，核心部件品質(zhì)可靠，是半導體、新能源、新材料領(lǐng)域薄膜制備的核心實驗設(shè)備。
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